サムスン、エンタープライズ3ビットNAND SSDを構築

サムスン電子は本日、サーバおよびデータセンター用の業界初の高性能3ビットNANDベースSSDの量産を開始したと発表しました。当初、大規模データセンターに搭載された3ビットMLC(マルチレベルセル)NAND SSDの設置は、今四半期後半に開始される予定です。

新しいPM853T SSDは、240GB、480GB、および960GBの容量で提供され、ランダムIOPS、パフォーマンス、およびサービス品質(QoS)の高いレベルを要求します。この新しいドライブは、シーケンシャル読み取り速度が530MB / sで、420MB / sでシーケンシャルな書き込み速度を約束します。また、SATA 6Gb / secインターフェイスを使用して、ランダムに90,000 IOPSでデータを読み取り、14,000 IOPSで連続ランダム書き込みを処理します。 Samsungは、2ビットSSD市場を置き換えるために、データセンターに3ビットSSDを採用する予定です。

3ビットMLCの大きな利点は、1ビットあたりのコストが低いことです。 Samsungは、この新しいドライブは、2ビットNANDフラッシュコンポーネントを使用するSSDと比較して、製造効率が30%向上すると述べている。

2012年に導入されたSamsungの最初の3ビットNANDベースの840 EVO SSDは、超薄型ノートPCとPCで成功しています。彼らは、大規模なデータセンターの高効率SSDにおいて強力な地位を得ることを望んでいます。

ストレージビット

3ビットセルは、量子井戸サイト当たり8レベルの蓄積電荷 – 電子を必要とする。小さなセルサイズ(20nmのフィーチャサイズを想定)では、1,000個の電子しか保持できません。つまり、信号処理とエラー訂正はデータを確実に読み取るには非常に優れていなければなりません。

関連する問題は書き込みの生活です。フラッシュメモリのプログラム書き込みサイクルである1,000回の書き込みで、サーバSSDは真に過剰供給されなければならないので、故障したブロックを置き換えることができます。このオーバープロビジョニングにより、3ビットMLCは予想よりも経済的になりません。書き込みが遅くなるなどの他の技法は、耐久性を劇的に改善する可能性がある。

サムスンの発表では、Intelの一般的な仕様である総書き込み容量は言及されていないため、SSDの耐久性は未解決の問題です。ロギングやメタデータの更新など、連続書き込みアプリケーションでこれらのユニットのいずれかを使用することは問題になる可能性があります。

これらの問題が解決されれば、サムスンはサーバ級SSDの価格をさらに下げることができるはずだ。それがうまくいくなら、それは良いことになるでしょう。

コメントはいつものように歓迎されます。サーバーSSDの経験は何ですか?アップデート:私がLSIのためにしたこのビデオホワイトペーパーで、フラッシュ耐久性の改善について学んでください。更新を終了します。

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